RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
51
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3090
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link