RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
53
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2871
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link