RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3666
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link