RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
45
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
18.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
4182
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link