RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3559
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link