RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3673
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link