RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2597
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link