RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
45
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2533
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link