RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
45
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2476
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Transcend Information TS9W9NESD-I 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link