RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
52
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2182
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link