RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2579
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link