RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
45
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3145
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link