RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3352
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link