RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3772
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link