RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
45
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3045
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link