RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
45
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3726
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link