RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
45
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3714
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link