RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3632
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link