RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
57
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2213
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link