RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3617
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link