RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
45
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
1773
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link