RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
52
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2384
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE1F 1GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-016.A00LF 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link