RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
48
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2366
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link