RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
61
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2113
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link