RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
45
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2541
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link