RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2790
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link