RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.6
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
14.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
867
3563
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link