RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
48
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2556
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KVR800/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link