RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
61
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2089
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link