RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
48
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3535
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link