RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2810
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link