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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
48
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3072
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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