RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
48
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2972
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link