RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
48
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3050
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link