RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2711
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link