RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3357
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link