RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
48
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2473
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link