RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
48
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2571
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link