RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
48
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2135
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link