RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
48
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2261
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link