RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
48
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2936
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link