RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
48
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3635
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link