RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
48
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3779
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link