RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
48
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3635
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link