RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
48
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
16.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3889
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston TSB1333D3S9SR8U/2G 2GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link