RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
48
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2200
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link