RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
48
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
6.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1499
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link