RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2563
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link