RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
48
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2499
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link