RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
48
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1907
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link